STD1NK80ZT4 是 STMicroElectronics 生产的一种 N 沟道 MOSFET，具有以下特点：
- 漏极-源极击穿电压：800 V
- 连续漏极电流：1 A
- 漏极-源极导通电阻：13 欧姆
- 栅极-源极电压：30 V
- 栅极电荷：7.7 nC
- 工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
- 功率耗散：45 W
- 封装：TO-252-3
应用
STD1NK80ZT4 MOSFET 可用于以下应用：
规格
h2>| 参数 | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| 制造商 | STMicroelectronics | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 技术 | Si | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 封装/箱体 | TO-252-3 | ||
| 通道数量 | 1 | ||
| 晶体管极性 | N 沟道 | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 800<3ctr> | 模式 | 增强型 |
| 封装 | CutTape | ||
| 封装 | MouseReel | ||
| 封装 | Reel | ||
| 高度 | 2.4 | mm | |
| 长度 | 6.6 | mm | |
| 系列 | STD1NK80Z | ||
| 晶体管类型 | 1N 沟道 | ||
| 类型 | MOSFET | ||
| 宽度 | 6.2 | mm | |
| 商标 | STMicroelectronics | ||
| 正向跨导-小值 | 0.8 | S | |
| 下降时间 | 55 | ns |
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 品牌 | ST |
| 所在地 | 广东深圳市龙岗区 |
| 起订量 | ≥1 个 |
| 供货总量 | 25000 个 |
| 有效期 | 长期有效 |