基本参数
详细说明
新一代MOSFET的设计旨在最小化状态电阻(RDS(ON))，同时保持优越的开关性能，使其成为电源管理应用的理想选择。
功能和好处
- N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速切换速度
- 低输入/输出泄漏
- 超小型表面贴装封装，封装0.4mm身高
- ESD保护门
- 完全无铅且完全符合RoHS（注1和2）
- 无卤素和锑。绿色装置（注3）
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
机械数据
- 外壳：X2-DFN1006-3
- 外壳材料：模压塑料，绿色模压化合物。UL易燃性分类额定值94V-0
- 湿敏性：根据J-STD-020的1级
- 终端连接：见图表
- 端子：表面处理-铜引线框架上的NiPdAu。根据MIL-STD-202，方法208可焊接
- 重量：0.001克（近似值）
应用
- DC-DC转换器
- 电源管理功能